PM150CSD120, 6 IGBT 1200V 150A 4-gen

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 537858211
Производитель: Mitsubishi
Артикул производителя: PM150CSD120

Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.4Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150Структура модуля 3-фазный мостТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 30 Драйвер управления встроенный Защита по току есть Защита от короткого замыкания есть Защита от перегрева есть Защита от пониженного напряжения питания есть Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 781 Максимальный ток эмиттера, А 300 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1000 Напряжение изоляции, В 2500 Температурный диапазон,С -20...150 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor