BSM75GB120DN2, Силовой IGBT модуль

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 2010050394
Производитель: Infineon
Артикул производителя: BSM75GB120DN2

Макс.напр.к-э,В -Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В -Номинальный ток одиночного тр-ра,А -Структура модуля -Тип силового модуля -Максимальная частота модуляции,кГц -Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт - Драйвер управления - Защита по току - Защита от короткого замыкания - Защита от перегрева - Защита от пониженного напряжения питания - Максимальная рассеиваимая мощность,Вт - Максимальный ток эмиттера, А - Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс - Напряжение изоляции, В - Температурный диапазон,С - Производитель -