Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.7Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ 90Мощность привода, кВт -
Драйвер управления VLA500
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 1130
Максимальный ток эмиттера, А 1200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.7
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 300
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/a80691e95d91d5a8181266cb85b60eef "CM600DY-12NF, 2 IGBT 600V 600A 5-gen")