+7 927 905-77-57
Меню
Корзина
Корзина пуста
Каталог
Силовые полупроводники
Силовые модули igbt
Модуль BSM150GB120DN2

Модуль BSM150GB120DN2

29 800 ₽

Купить в 1 клик

Купить в 1 клик

Силовой модуль IGBT BSM150GB120DN2 Infineon


Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL


Силовой модуль IGBT BSM150GB120DN2 Infineon


Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
Описание
Комментарии
0
Описание

Технические характеристики:

Pd - рассеивание мощности1.25 kW
Вид монтажа Chassis Mount
Высота 30 mm
Длина 106.4 mm
Другие названия товара № SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация Half Bridge
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 210 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 10
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок Half Bridge2
Ширина 61.4 mm
Вес, г 363.1
Комментарии
0