Макс.напр.к-э,В 1700 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В - Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1000 Структура модуля чоппер с диодом Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах Максимальная частота модуляции,кГц 20 Входная емкость затвора,нФ - Мощность привода, кВт - Драйвер управления внешний Защита по току нет Защита от короткого замыкания нет Защита от перегрева нет Защита от пониженного напряжения питания нет Максимальная рассеиваимая мощность,Вт - Максимальный ток эмиттера, А 2000 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс - Напряжение изоляции, В 4000 Температурный диапазон,С -40...150 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/img/n1h54rpmtbkso8sg0coog040cw4ws0 "CM1000DUC-34NF")