Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.6Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ 27Мощность привода, кВт -
Драйвер управления VLA507
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 350
Максимальный ток эмиттера, А 200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс -
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/dc9f49845645a1eaa6f5c529fb3ada7a "CM100DU-12F, 2 IGBT RTC 600V 100A 4-gen")