:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/ac2c40695c90e0648585eff33f0246e5 "Модуль CM100DU-24F")
Модуль CM100DU-24F
7 590 ₽
CM100DU-24F, 2 IGBT RTC 1200V 100A 4-gen (F-Series) igbt модуль
F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Характеристики:
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.8 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 39 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор, В | 3.3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Производитель | Mitsubishi |
Чертеж:
