CM100DUS-12F, 2 IGBT 600V 100A 50kHz

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 203161717
Производитель: Mitsubishi
Артикул производителя: CM100DUS-12F

Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 60Входная емкость затвора,нФ 27Мощность привода, кВт - Драйвер управления VLA504 Защита по току нет Защита от короткого замыкания нет Защита от перегрева нет Защита от пониженного напряжения питания нет Максимальная рассеиваимая мощность,Вт - Максимальный ток эмиттера, А 200 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс - Напряжение изоляции, В 2500 Температурный диапазон,С -40...150 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor