Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.1Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 25Входная емкость затвора,нФ 10Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 400
Максимальный ток эмиттера, А 200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.15
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 300
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/d863a6a688d64239bae1dbac593ac484 "CM100DY-12H, 2 IGBT 600V 100A 3-gen (H-Series)")