Макс.напр.к-э,В 1700Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.2Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ 24.7Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 960
Максимальный ток эмиттера, А 200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 7
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 150
Напряжение изоляции, В 3500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/b41e23404b136071c99e54ea444fc34f "CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen")