Макс.напр.к-э,В 1700Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В -Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1200Структура модуля -Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц -Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт -
Драйвер управления -
Защита по току -
Защита от короткого замыкания -
Защита от перегрева -
Защита от пониженного напряжения питания -
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт -
Максимальный ток эмиттера, А -
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс -
Напряжение изоляции, В -
Температурный диапазон,С -
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/cbe86c4f144e644f5c289b80456bc47b "CM1200HCB-34N, 1 HV-IGBT 1700V 1200A")