CM150DU-12F, 2 IGBT RTC 600V 150A 4-gen

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 347514267
Производитель: Mitsubishi
Артикул производителя: CM150DU-12F

Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.6Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ 41Мощность привода, кВт - Драйвер управления внешний Защита по току нет Защита от короткого замыкания нет Защита от перегрева нет Защита от пониженного напряжения питания нет Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 520 Максимальный ток эмиттера, А 300 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс - Напряжение изоляции, В 2500 Температурный диапазон,С -40...150 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor