Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.8Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ 59Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 600
Максимальный ток эмиттера, А 300
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.9
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 80
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor