Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.5Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 25Входная емкость затвора,нФ 30Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 1100
Максимальный ток эмиттера, А 300
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.25
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 350
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/a18b86566e2867c132ea067141cfde5c "CM150DY-24H, 2 IGBT 1200V 150A 3-gen")