Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.8Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ 20Мощность привода, кВт -
Драйвер управления VLA504
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 320
Максимальный ток эмиттера, А 100
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.85
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 50
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/78a1771d6dca298dc15fbb9b8d4c7213 "CM50DU-24F, 2 IGBT RTC 1200V 50A 4-gen")