Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.4Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200Структура модуля чоппер с диодомТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ 17.6Мощность привода, кВт -
Драйвер управления VLA504
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 650
Максимальный ток эмиттера, А 400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.6
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 400
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor