Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.55Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25Структура модуля 3-фазный мостТип силового модуля Интеллектуальный DIP модульМаксимальная частота модуляции,кГц 5Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 2
Драйвер управления встроенный
Защита по току -
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева -
Защита от пониженного напряжения питания есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт -
Максимальный ток эмиттера, А 50
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 100
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -20...100
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor