Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.5Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 25Входная емкость затвора,нФ 60Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 2100
Максимальный ток эмиттера, А 600
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В 3.4
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 500
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor