Макс.напр.к-э,В 2500Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3.2Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400Структура модуля полумостТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ 40Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 3400
Максимальный ток эмиттера, А 800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.9
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 2000
Напряжение изоляции, В 6000
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor