Макс.напр.к-э,В 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.5 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50 Структура модуля 3-фазный мост Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах Максимальная частота модуляции,кГц 25 Входная емкость затвора,нФ 10 Мощность привода, кВт - Драйвер управления внешний Защита по току нет Защита от короткого замыкания нет Защита от перегрева нет Защита от пониженного напряжения питания нет Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 400 Максимальный ток эмиттера, А 100 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 20 Напряжение эмиттер-коллектор,В 3.4 Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 200 Напряжение изоляции, В 2500 Температурный диапазон,С -40...150 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/5b9c584ac58811fd0dcb518f8d3bc937 "CM50TF-24H, 6 IGBT 1200V 50A 3-gen (H-Series)")