Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.1Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600Структура модуля одиночный транзисторТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ 108Мощность привода, кВт -
Драйвер управления VLA503
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 3670
Максимальный ток эмиттера, А 1200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.1
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 194
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/bc97142b49e3f74e4cb46a876baf4f93 "CM600HB-24A, 1 IGBT 1200V 600A 5-gen")