Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.7Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзисторТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ 23Мощность привода, кВт -
Драйвер управления VLA504
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 730
Максимальный ток эмиттера, А 300
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.7
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 100
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/80890e5565fc101a2da57e53438899b5 "CM150RL-12NF, 7 IGBT 600V 150A 5-gen")