Макс.напр.к-э,В 3300Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3.8Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800Структура модуля одиночный транзисторТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ 120Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 10400
Максимальный ток эмиттера, А 1600
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.8
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 2000
Напряжение изоляции, В 6000
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor