Макс.напр.к-э,В 1700Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.75Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800Структура модуля одиночный транзисторТип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ 93Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 9200
Максимальный ток эмиттера, А 1600
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 5.5
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.4
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1500
Напряжение изоляции, В 4000
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor