Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.8Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600Структура модуля 3-фазный мостТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 50 Драйвер управления встроенный Защита по току нет Защита от короткого замыкания есть Защита от перегрева есть Защита от пониженного напряжения питания есть Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 1785 Максимальный ток эмиттера, А 1200 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1000 Напряжение изоляции, В 2500 Температурный диапазон,С -20...150 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/bc97142b49e3f74e4cb46a876baf4f93 "PM600CLA060, 6 IGBT 600V 600A 5-gen")