PM150RL1A120#350G, 7 IGBT 1200V 100A

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 775688955
Производитель: Mitsubishi
Артикул производителя: PM150RL1A120#350G

Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.55Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзисторТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 30 Драйвер управления встроенный Защита по току нет Защита от короткого замыкания есть Защита от перегрева есть Защита от пониженного напряжения питания есть Максимальная рассеиваимая мощность,Вт - Максимальный ток эмиттера, А 200 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1000 Напряжение изоляции, В - Температурный диапазон,С - Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor