Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.9Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450Структура модуля 3-фазный мостТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 75
Драйвер управления встроенный
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева есть
Защита от пониженного напряжения питания есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 2500
Максимальный ток эмиттера, А 900
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1000
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -20...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor