Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.5Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзисторТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 3.7 Драйвер управления встроенный Защита по току нет Защита от короткого замыкания есть Защита от перегрева есть Защита от пониженного напряжения питания есть Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 131 Максимальный ток эмиттера, А 100 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1000 Напряжение изоляции, В 2500 Температурный диапазон,С -20...150 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/d7520690b9511b7b39e49b79fd0e4fe2 "PM50RLB060, 7 IGBT 600V 50A 5-gen")