Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.55Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75Структура модуля мостТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 30Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 7.5
Драйвер управления встроенный
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева есть
Защита от пониженного напряжения питания есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 390
Максимальный ток эмиттера, А 150
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 700
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -20...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor