Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.55Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75Структура модуля 3-фазный мостТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 20
Драйвер управления встроенный
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева есть
Защита от пониженного напряжения питания есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт -
Максимальный ток эмиттера, А 150
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1000
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -20...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/f1629da3c3d90f4ff66748b92c87fa0e "PM75CL1B120#350G, 6 IGBT 1200V 75A 5-gen")