Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.5Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзисторТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 15
Драйвер управления встроенный
Защита по току есть
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева есть
Защита от пониженного напряжения питания есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 460
Максимальный ток эмиттера, А 150
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 200
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -20...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor