Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.35Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзисторТип силового модуля Интеллектуальный модуль IPMМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 15 Драйвер управления встроенный Защита по току есть Защита от короткого замыкания есть Защита от перегрева есть Защита от пониженного напряжения питания есть Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 284 Максимальный ток эмиттера, А 150 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 800 Напряжение изоляции, В 2500 Температурный диапазон,С -20...150 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/bc97142b49e3f74e4cb46a876baf4f93 "PM75RVA060, 7 IGBT 600V 75A 3-gen")