Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3.6Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мостТип силового модуля CIB интеллектуальный модульМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 0.2
Драйвер управления встроенный
Защита по току есть
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева есть
Защита от пониженного напряжения питания есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт -
Максимальный ток эмиттера, А -
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс -
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -20...125
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor