Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3.6Номинальный ток одиночного тр-ра,А -Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мостТип силового модуля CIB интеллектуальный модульМаксимальная частота модуляции,кГц 20Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 1.5
Драйвер управления встроенный
Защита по току есть
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева есть
Защита от пониженного напряжения питания есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 1500
Максимальный ток эмиттера, А -
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс -
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -20...125
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor