Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В -Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50Структура модуля -Тип силового модуля -Максимальная частота модуляции,кГц -Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт - Драйвер управления - Защита по току - Защита от короткого замыкания - Защита от перегрева - Защита от пониженного напряжения питания - Максимальная рассеиваимая мощность,Вт - Максимальный ток эмиттера, А - Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс - Напряжение изоляции, В - Температурный диапазон,С -20...100 Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/0e77e98d26c963740ccb826ec2e39c20 "PS21A79, DIP-IPM ver4. 600В 50А")