Макс.напр.к-э,В 1200Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.7Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15Структура модуля 3-фазный мостТип силового модуля Интеллектуальный DIP модульМаксимальная частота модуляции,кГц 15Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт 2.2
Драйвер управления встроенный
Защита по току -
Защита от короткого замыкания есть
Защита от перегрева -
Защита от пониженного напряжения питания есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 56.8
Максимальный ток эмиттера, А 30
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1500
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -20...125
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor