Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.1Номинальный ток одиночного тр-ра,А 17Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мостТип силового модуля CIB интеллектуальный модульМаксимальная частота модуляции,кГц -Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт -
Драйвер управления встроенный
Защита по току -
Защита от короткого замыкания -
Защита от перегрева есть
Защита от пониженного напряжения питания -
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт -
Максимальный ток эмиттера, А -
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.6
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 40
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель SEMIKRON