Структура N-FETМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В 700Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 8Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100Крутизна характеристики S,мА/В 1500Корпус -
Производитель Россия
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/778fd3632479e4bc3cc727252da0ea15 "КП707Г, транзистор")