Структура N-FETМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В 200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 18Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 0.18Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 125Крутизна характеристики S,мА/В -Корпус TO-220AB
Производитель Россия
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/bc97142b49e3f74e4cb46a876baf4f93 "КП767В, транзистор")