Макс.напр.к-э,В 600Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В -Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200Структура модуля -Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторахМаксимальная частота модуляции,кГц 40Входная емкость затвора,нФ -Мощность привода, кВт -
Драйвер управления -
Защита по току -
Защита от короткого замыкания -
Защита от перегрева -
Защита от пониженного напряжения питания -
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт -
Максимальный ток эмиттера, А -
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В -
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс -
Напряжение изоляции, В -
Температурный диапазон,С -
Производитель International Rectifier
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/a2bfaffef8ca2f32d7eee1ed74202bdf "VS-GA200SA60UP, IGBT 600B 200А")