Макс.напр.к-э,В 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В - Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200 Структура модуля - Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах Максимальная частота модуляции,кГц 40 Входная емкость затвора,нФ - Мощность привода, кВт - Драйвер управления - Защита по току - Защита от короткого замыкания - Защита от перегрева - Защита от пониженного напряжения питания - Максимальная рассеиваимая мощность,Вт - Максимальный ток эмиттера, А - Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В - Напряжение эмиттер-коллектор,В - Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс - Напряжение изоляции, В - Температурный диапазон,С - Производитель International Rectifier
:format(webp):no_upscale():watermark(7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/watermark/6rh2622p6r4s0g8w4oso840so8g880,-1,-1,0,15,none)/7fdeb26a6e8c474.s2.siteapi.org/catalog/images/9567cd77b15ffd6d8ded90e09f1a4336 "VS-GA200TS60UPBF, 2IGBT 600В 200А 40кГц")